チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察
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概要
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SOI MOSFETでは、self-heating現象に起因する素子電流駆動力の劣化が顕著に現れる。今回、SOI型素子において、そのチャネル長がサブ0.1μm領域にスケーリングされた時、素子電流駆動力へ及ぼすself-heatingの影響をバルク型素子と比較する形で調査した。その結果、サブ0.1μmまでスケーリングが進むと、両者の電流劣化率の差が縮小されることが判明した。これは、格子温度依存性が少ない速度オーバーシュート現象がドレイン電流値を支配することに起因することを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-14
著者
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
-
松澤 一也
東芝 研究開発センター
-
井納 和美
東芝 システムLSI開発センター
-
勝又 康弘
東芝 システムLSI開発センター
-
吉見 信
東芝 システムLSI開発センター
-
石内 秀美
東芝 システムLSI開発センター
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
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