Datta-Das型スピントランジスタにおける性能と消費電力見積もり(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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Datta-Das型スピントランジスタ(SFET)において電荷の充放電によるアクティブパワーと遅延時間の見積もりを行った。我々はSFETによって構成されるNOT回路の構成をはじめて提案し、またSFETのみで論理演算が可能となることを示した。NittaらによるRashbaパラメータαの実験結果(PRL78(7),pp.l335,(1997).)と1D Schrodinger-Poisson方程式の解を用いることにより、SFETの動作原理に基づくインバーター回路のアクティブエネルギーとその遅延時間が計算され得る。我々の提案したインバーター回路によるアクティブエネルギーは同寸法のCMOS回路のエネルギーの最小限界を下回るという結果を得た。
- 2011-08-18
著者
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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安達 甘奈
株式会社東芝研究開発センター
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近藤 佳之
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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川中 繁
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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安達 甘奈
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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