大内 和則 | (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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概要
関連著者
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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大脇 幸人
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(株)東芝 セミコンダクター社
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(株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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太田 雅子
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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鴨志田 昌弘
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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真鍋 宗平
(株)東芝 ULSI研究所
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吉田 尊
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉田 晋一
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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松原 玄宗
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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真鍋 宗平
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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松原 玄宗
(株)東芝システムlsi技術研究所
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉田 晋一
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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白武 慎一郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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中野 浩明
東芝セミコンダクター社
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松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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大内 和則
株式会社東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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稗田 克彦
東芝アメリカ電子部品
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原 央
株式会社 東芝 研究開発センター
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堀口 文男
東芝
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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須之内 一正
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター
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高島 大三郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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尾崎 徹
(株)東芝セミコンダクター社
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東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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高島 大三郎
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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土田 賢二
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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白武 慎一郎
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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稲場 恒夫
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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太田 雅子
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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大脇 幸人
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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大内 和則
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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稗田 克彦
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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須之内 一正
株式会社東芝研究開発センター
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堀口 文男
株式会社東芝半導体事業本部
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原 央
株式会社東芝研究開発センター
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
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渡辺 重佳
株式会社 東芝 研究開発センター
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須之内 一正
株式会社 東芝 研究開発センター
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堀口 文男
株式会社 東芝 半導体事業本部
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大内 和則
株式会社 東芝 研究開発センター
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白武 慎一郎
東芝研究開発センター
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高島 大三郎
東芝研究開発センター
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長谷川 武裕
東芝研究開発センター
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中野 浩明
東芝研究開発センター
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大脇 幸人
東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
東芝研究開発センター
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大内 和則
東芝研究開発センター
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吉岡 晋一
(株)東芝
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白田 理一郎
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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中村 寛
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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白田 理一郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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田中 智晴
株式会社東芝研究開発センター、ULSI研究所
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百冨 正樹
株式会社東芝半導体デバイス技術研究所
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百冨 正樹
東芝メモリ事業部メモリ技術第一部
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田中 智晴
(株)東芝 メモリ事業部
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大脇 幸人
株式会社東芝
著作論文
- 大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
- クロスポイント型セルに対応した2層ビット線構造をもつDRAM array
- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- 超低スタンドバイ電流DRAMの検討
- TISを用いたギガビットDRAMの設計
- NAND型DRAMにおける折り返しビット線方式の検討
- 配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- 高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- 配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法