川中 繁 | (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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篠 智彰
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東芝 システムLSI開発センター
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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝soc研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社
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(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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川中 繁
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(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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勝又 康弘
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(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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真鍋 宗平
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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後藤 正和
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後藤 正和
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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中嶋 一明
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後藤 正和
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後藤 正和
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野町 映子
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吉水 康人
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福島 崇
(株)東芝セミコンダクター社
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野町 映子
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(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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市原 玲華
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大内 和也
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プロセス技術推進センター
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森 伸二
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水島 一郎
プロセス技術推進センター
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諸岡 哲
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東芝セミコンダクター社
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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吉岡 晋一
(株)東芝
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東 篤志
東芝
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
著作論文
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
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- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術