南 良博 | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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南 良博
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社
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東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
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中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大澤 隆
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(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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初田 幸輔
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
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石内 秀美
(株)東芝
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(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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梶山 健
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池橋 民雄
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初田 幸輔
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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渡辺 重佳
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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坂本 篤史
東芝情報システム(株)
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楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社
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楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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吉見 信
SOITEC Asia
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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(株)東芝 Ulsi研究所
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谷本 弘吉
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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(株)東芝 ULSI研究所
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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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松岡 史宜
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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松永 準一
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幾見 宣之
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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幾見 宣之
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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松岡 史宜
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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福田 良
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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渡辺 陽二
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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西村 潤
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
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渡辺 陽二
(株)東芝半導体研究開発センター
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布施 常明
東芝セミコンダクター社
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松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
著作論文
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
- Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))