南 良博 | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
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中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
著作論文
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
- Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))