福住 嘉晃 | (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

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関連著者

• 福住 嘉晃

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• 山田 浩玲

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 浜本 毅司

  (株)東芝セミコンダクター社

• 篠 智彰

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 東 知輝

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 藤田 勝之

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 山田 敬

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 梶山 健

  (株)東芝 SoC 研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 池橋 民雄

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 藤田 勝之

  Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation

• 梶山 健

  (株)東芝研究開発センター

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 山田 敬

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 篠 智彰

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 池橋 民雄

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

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• 石内 秀美

  (株)東芝

• 仁田山 晃寛

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• 仁田山 晃寛

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 仁田山 晃寛

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 福住 嘉晃

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青地 英明

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  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

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著作論文

• 超高密度を実現する三次元フラッシュメモリー
• 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

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