谷本 弘吉 | 東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
-
谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松沢 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
谷本 弘吉
東芝セミコンダクター社
-
谷本 弘吉
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
間 博顕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
松沢 一也
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
間 博顕
(株)東芝 セミコンダクター社
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
東京大学大学院工学系研究科
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
-
青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
初田 幸輔
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
初田 幸輔
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
坂本 篤史
東芝情報システム(株)
-
東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
藤田 勝之
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
森門 六月生
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社
-
青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
伊藤 早苗
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
下川 淳二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
遠田 利之
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
谷本 弘吉
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
谷本 弘吉
東芝
-
執行 直之
東芝
-
小西 憲俊
東芝
-
西之原 一美
東芝
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
著作論文
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
- 濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
- MOSFETとBJTのデバイス・シミュレーションのための統一的物理モデル