MOSFETとBJTのデバイス・シミュレーションのための統一的物理モデル
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概要
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MOSFETとBJT(バイポーラ・トランジスタ)の両方を精度良くシミュレーションできる統一的物理モデルを開発した。移動度、バンドギャップ・ナローイングそして真性キャリア密度についてのモデルである。移動度モデルとしては、ユニバーサリティ移動度モデルとKlaassenによるクーロン散乱移動度モデルを融合した。MOSFETについて詳細な検討を行うと共に、BJTに関しても実測との比較を行い、良い一致を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-17
著者
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