任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
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概要
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ゲート酸化膜中の各点においてゲート電極とのトンネル・パスを検出し、電位分布を放物型で近似してWDB近似によって、各点におけるトンネル確率を計算した。その結果、実際のMOSFETのゲート構造では、今回の手法で計算したトンネル電流は、一定電界のモデルの結果よりも小さくなった。これは、ゲート電極の形状に起因するゲート酸化膜中の不均一な電界によるものである。また、今回の手法によりFNトンネルによって生じた酸化膜中のキャリアの分布を詳細に調べる事が可能となる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-26
著者
-
谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
間 博顕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
松沢 一也
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
間 博顕
(株)東芝 セミコンダクター社
-
谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
-
松沢 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
谷本 弘吉
東芝セミコンダクター社
-
谷本 弘吉
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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