シリサイドブロックとコンタクト抵抗がESD保護素子の発熱に与える影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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内部回路と同一チップ上に形成されたゲート接地型MOSFETのESD保護素子には、電界の集中を抑制するためにシリサイドブロックが設けられる。本稿では、シリサイドブロックの抵抗率とシリサイドのコンタクト抵抗が、保護素子の内部の格子温度上昇に与える影響をシミュレーションによって検討した結果を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-24
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