不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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不純物揺らぎがショツトキー・バリア・ダイオードの電気的特性とコンタクト抵抗に与える影響を、デバイス・シミュレーションを用いて検討した.ショットキー・バリア・ダイオードにおいては、不純物揺らぎの影響が不純物濃度と空乏層幅に依存し、不純物揺らぎによる逆バイアス電流揺らぎが最大となる不純物濃度領域がありうる.コンタクト抵抗においては、局所的に不純物濃度が高い領域での抵抗値が支配的となり、不純物揺らぎによって、コンタクト抵抗が低下する場合がある.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-22
著者
-
楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
松沢 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
木下 敦寛
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
八木下 淳史
東芝セミコンダクター社
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