Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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ゲート電極のメタル化技術(メタルゲート技術)における技術的課題である仕事関数(Φ_<eff>)制御について、我々の最近の検討結果を報告する。まず、メタルゲート構造の有力な候補であるNi-FUSI(fully silicided)電極に関して、不純物添加によるΦ_<eff>変調現象の物理的機構について検討した結果を紹介する。具体的には、FUSI電極形成後に不純物添加する方法により、偏析不純物効果がΦ_<eff>変調の主要因であることを明らかにした。さらに、光電子分光分析により界面の不純物の結合状態を評価した結果、界面における不純物の偏析位置の違いが仕事関数の変調方向を反転させることが分かった。また、ジャーマナイド材料のΦ_<eff>を系統的に調べ、FUGE(Fully-germanided)電極構造によりFUSI技術では不可能な範囲でのΦ_<eff>制御が実現できることを見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
-
古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
(株)東芝研究開発センター
-
木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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