単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
2重ゲート構造を有する不揮発性メモリセルの微細化のためには、電極間絶縁膜の薄膜化が重要な課題である。これまで、われわれは電極間絶縁膜の薄膜化の阻害要因が電極間絶縁薄膜の欠陥密度増加にあることを明らかにし、その欠陥発生メカニズムとして後酸化工程における多結晶シリコン浮遊ゲ-ト電極のグレイン成長に伴う電極間絶縁膜の局所的な薄膜化モデルを提案した[1]。本研究では、上記グレイン成長モデルに起因する欠陥発生を本質的に回避する観点から、浮遊ゲート電極の単結晶化プロセスについて検討を行った。以下、電極間絶縁膜、トンネル酸化膜に与える効果について調べた結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小澤 良夫
株式会社東芝
-
間 博顕
株式会社東芝
-
間 博顕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
-
水島 一郎
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
齋田 繁彦
(株)東芝 研究開発センター
-
神林 茂
(株)東芝 研究開発センター
-
間 博顕
(株)東芝 セミコンダクター社
-
小池 三夫
(株)東芝
-
小澤 良夫
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
三谷 祐一郎
(株)東芝 研究開発センター
-
水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
関連論文
- 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- CMOSデバイスにおける酸化膜欠陥のインプロセススクリーニング技術の検討
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- 14a-E-15 GaSbのエネルギーバンド構造 II
- 14a-E-14 GaSbのエネルギーバンド構造 I
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- シリコンの表面マイグレーションを利用した新しい基板エンジニアリング 〜ESS(Empty Space in Siliton) による大面積 SON(Silicon on Nothing)の形成〜
- シリコンの表面マイグレーションを利用した大面積SON(Silicon on Noting)の形成
- ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD-2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
- ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
- SCM測定のシミュレーション解析
- シリコン中における高濃度ボロンの固溶状態
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 電子線アニール技術を用いた三次元イメージプロセッサの試作と評価
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
- SCM測定のシミュレーション解析
- SCM測定のシミュレーション解析
- SCM測定のシミュレーション解析
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
- 任意形状のゲート電極におけるFNトンネル電流のシミュレーション
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- CMOSデバイスにおける酸化膜欠陥のインプロセススクリーニング技術の検討
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討
- 反応焼結SiC基長繊維複合材料中の劣化SiC繊維の微構造
- 1)電子線アニール技術を用いた三次元イメージプロセッサの試作と評価(テレビジョン電子装置研究会)
- 薄膜SOIの上に形成した高性能MOSトランジスタ (ULSI基盤技術)
- シリコン中のB_クラスターの構造と物性
- Flashのデバイス・シミュレーション技術
- Flashのデバイス・シミュレーション技術
- Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造
- ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響
- ACストレス下でのNBTIに及ぼすSiON中窒素プロファイルの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 特定箇所2次元キャリア分布計測技術と故障解析への応用
- シリコン基板表面状態とゲート酸化膜の信頼性
- ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)