豊島 義明 | 東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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東 篤志
東芝
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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後藤 正和
徳島大学外科
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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井谷 孝治
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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中村 新一
(株)東芝
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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渡辺 由美
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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永野 剛之
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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藤原 実
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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清水 敬
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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百瀬 寿代
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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中村 新一
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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清水 敬
東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
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石内 秀美
(株)東芝
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佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中嶋 一明
(株)東芝
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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辰村 光介
東芝研究開発センター
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金子 明生
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大村 光広
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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川崎 博久
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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稲葉 聡
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石丸 一成
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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江口 和弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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福島 崇
東芝
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長友 浩二
東芝
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野町 映子
東芝
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小野田 裕之
東芝
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吉水 康人
東芝
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吉水 康人
(株)東芝セミコンダクター社
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後藤 正和
(株)東芝セミコンダクター社
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
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福島 崇
(株)東芝セミコンダクター社
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野町 映子
(株)東芝セミコンダクター社
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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永野 剛之
東芝セミコンダクター社
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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山河 秀樹
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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加藤 善光
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
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玉置 直樹
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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工藤 知靖
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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柴田 英紀
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
谷口 修一
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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Matsushita T.
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
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来栖 貴史
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
東芝
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中村 新一
(株)東芝研究開発センター
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
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水島 一郎
プロセス技術推進センター
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楠 直樹
システムLSIデバイス技術開発部
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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加藤 善光
(株)東芝 Ulsi研究所
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柴田 英紀
(株)東芝 Ulsi研究所
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勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
-
伊藤 早苗
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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下川 淳二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
遠田 利之
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
谷本 弘吉
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
木下 敦寛
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
須黒 恭一
(株)東芝
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
著作論文
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- メタルゲートトランジスタの性能検証
- メタルゲートトランジスタの性能検証
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)