岡野 王俊 | (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センターの論文著者

関連著者

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 岡野 王俊

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 川崎 博久

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金子 明生

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 八木下 淳史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 須黒 恭一

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝

• 近藤 正樹

  (株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 佐々木 貴彦

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 佐々木 貴彦

  株式会社東芝

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 川崎 博久

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 金村 貴永

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 Soc研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 藤原 実

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 松下 貴哉

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 藤原 実

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 宮野 清孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 石田 達也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 伊藤 早苗

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小野 高稔

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 岩出 健次

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 川崎 博久

  東芝アメリカ電子部品社

• 八木下 淳史

  東芝アメリカ電子部品社

• 石丸 一成

  東芝アメリカ電子部品社

• 石田 達也

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

• 金村 貴永

  半導体研究開発センター:株式会社東芝

• 石田 達也

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 水島 一郎

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 須藤 裕之

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 大内 和也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 安達 甘奈

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 外園 明

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 清水 敬

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 森 伸二

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 小熊 英樹

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 渡辺 由美

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 松田 聡

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 村越 篤

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 井谷 孝治

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 飯沼 俊彦

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 工藤 知靖

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 柴田 英紀

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 谷口 修一

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• Matsushita T.

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 東 篤志

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 親松 尚人

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 勝又 康弘

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 松田 聡

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 東 篤志

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 谷口 修一

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 大内 和也

  SoC研究開発センター

• 清水 敬

  プロセス技術推進センター

• 森 伸二

  プロセス技術推進センター

• 飯沼 俊彦

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 柴田 英紀

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 馬越 俊幸

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 東 篤志

  東芝

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 清水 敬

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 外園 明

  (株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター

もっと見る 閉じる

著作論文

• 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
• FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))

スポンサーリンク