豊島 義明 | (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
-
大内 和也
SoC研究開発センター
-
安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
-
東 篤志
東芝
-
藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
-
宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
宮下 桂
東芝
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
外園 明
(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
-
宮下 桂
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
森 伸二
プロセス技術推進センター
-
川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
吉村 尚郎
(株)東芝 デバイス技術研究所
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
中嶋 一明
(株)東芝
-
須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
須黒 恭一
(株)東芝
-
中嶋 一明
東芝
-
中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
-
須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
渡辺 由美
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
馬越 俊幸
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
後藤 正和
徳島大学外科
-
安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
中山 武雄
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
清水 敬
プロセス技術推進センター
-
飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
石内 秀美
(株)東芝
-
佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
-
綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
-
青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
-
川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
福島 崇
東芝
-
長友 浩二
東芝
-
野町 映子
東芝
-
小野田 裕之
東芝
-
吉水 康人
東芝
-
吉水 康人
(株)東芝セミコンダクター社
-
後藤 正和
(株)東芝セミコンダクター社
-
辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
-
市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
-
福島 崇
(株)東芝セミコンダクター社
-
野町 映子
(株)東芝セミコンダクター社
-
犬宮 誠治
東芝
-
辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
山河 秀樹
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
-
高木 万里子
(株)東芝 デバイス技術研究所
-
八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
後藤 正和
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
-
清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
山河 秀樹
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター
-
綱島 祥隆
(株)東芝
-
水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
小山 正人
(株)東芝
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
加藤 善光
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
玉置 直樹
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
井谷 孝治
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
工藤 知靖
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
柴田 英紀
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
谷口 修一
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
Matsushita T.
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
-
来栖 貴史
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
東芝
-
中村 新一
(株)東芝研究開発センター
-
松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
宮下 桂
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
-
吉村 尚郎
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
-
中山 武雄
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
-
谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
プロセス技術推進センター
-
楠 直樹
システムLSIデバイス技術開発部
-
諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
加藤 善光
(株)東芝 Ulsi研究所
-
柴田 英紀
(株)東芝 Ulsi研究所
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
-
樋浦 洋平
(株)東芝 デバイス技術研究所
-
赤坂 泰志
(株)東芝
-
楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
圷 晴子
(株)東芝
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
中村 新一
(株)東芝
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
樋浦 洋平
(株)東芝
-
諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝セミコンダクタ一社
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
谷本 弘吉
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝 セミコンダクター社
-
大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
著作論文
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- ポリメタルゲート電極技術
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- 0.15μm世代以降のサリサイドプロセス
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- メタルゲートトランジスタの性能検証
- メタルゲートトランジスタの性能検証
- N2Oオキシナイトライドプロセスが微細MOSFETトランジスタ特性に与える影響
- N_2O オキシナイトライドプロセスが微細MOSFETトランジスタ特性に与える影響