中山 武雄 | (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
中山 武雄
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
宮下 桂
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
宮下 桂
東芝
-
藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
-
豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
西村 尚志
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センタープロセス技術推進センター
-
藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
木下 朋子
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
-
小野田 裕之
東芝
-
東 篤志
東芝
-
松岡 史倫
東芝
-
松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
西村 尚志
プロセス技術推進センター
-
東 篤志
半導体研究開発センター
-
西郡 正人
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
鈴木 昭弘
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
親松 尚人
株式会社東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
内藤 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小野塚 健
コバレントマテリアル株式会社
-
上野 芳弘
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
石本 康実
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
鍾 ウェイ丞
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
Madurawe Raminda
readyASlC Inc.
-
Wu Sheldon
China International Intellectual Property Services Ltd.
-
池田 修二
tei Solutions Inc.
-
石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
西郡 正人
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
池田 修二
readyASlC Inc.
-
親松 尚人
China International Intellectual Property Services Ltd.
著作論文
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発(デザインガイア2010 : VLSI設計の新しい大地)