大黒 達也 | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

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概要

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関連著者

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社:広島大学

• 百瀬 寿代

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 百瀬 寿代

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 百瀬 寿代

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 市野 晴彦

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 栗栖 正和

  NECシステムULSI開発本部

• 束原 恒夫

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 田中 聡

  日立製作所中央研究所

• 永野 剛之

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 鷲尾 勝由

  日立

• 前多 正

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 鷲尾 勝由

  日立中央研究所

• 永野 剛之

  東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  東芝

• 束原 恒夫

  Ntt

• 前多 正

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 栗栖 正和

  Nec

• 市野 晴彦

  Ntt

• 前多 正

  Nec

• 田中 聡

  日立

• 三浦 道子

  広島大学HiSIM研究センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 藤原 実

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 藤原 実

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 清水 敬

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 中村 新一

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 小島 健嗣

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 清水 敬

  プロセス技術推進センター

• 清水 敬

  東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 中村 新一

  (株)東芝

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 岡山 康則

  東芝セミコンダクタ一社

• 松澤 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 松永 健

  東芝セミコンダクタ一社

• 石丸 一成

  東芝セミコンダクタ一社

• 三浦 道子

  広島大学

• 三浦 道子

  広島大学hisim研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 清水 敬

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社

• 親松 尚人

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松岡 史倫

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 蓮見 良治

  東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部

• 松岡 史倫

  東芝

• 西郡 正人

  東芝セミコンダクター社システムLSI開発センター

• 親松 尚人

  東芝セミコンダクター社システムLSI開発センター

• 川崎 敦子

  東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター

• 佐俣 秀一

  東芝セミコンダクター社

• 石川 哲也

  東芝セミコンダクター社

• 木村 智久

  東芝セミコンダクター社

• 吉富 崇

  東芝セミコンダクター社

• 西郡 正人

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

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著作論文

• 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
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• CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
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• 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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• エピタキシャルチャネルMOSFETによるアナログ特性の改善
• MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 : 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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• コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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• 高抵抗基板上に形成された高性能アナログ、デジタル混載デバイス

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