三浦 道子 | 広島大学HiSIM研究センター
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概要
関連著者
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三浦 道子
広島大学HiSIM研究センター
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三浦 道子
広島大学hisim研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科
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三浦 道子
広島大学
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広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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山口 哲哉
Starc
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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広島大学先端物質科学研究科
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マタウシュ ハンス
広島大学先端物質科学研究科半導体集積科学専攻
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(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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村上 貴洋
広島大学hisim研究センター
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広島大学大学院先端物質科学研究科
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三浦 道子
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広島大学先端物質科学研究科
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株式会社NEC情報システムズ
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広島大学HiSIM研究センター
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広島大学大学院先端物質科学研究科
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フェルトマン ウヴェ
広島大学HiSIM研究センター
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三宅 正尭
広島大学大学院先端物質科学研究科
著作論文
- 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETモデル評価用テスト回路(2) : 入力電圧の微少変化の増幅
- MOSFETモデル評価用テスト回路(1) : しきい値電圧付近の電流領域の評価
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)