回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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• 高耐圧デバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に利用できる,回路シミュレーション用IGBTモデル「HiSIM-IGBT」を開発した.ゲート,コレクタ,エミッタを外部端子,ベース(ドレイン)を内部節点とし,表面ポテンシャルに基づく高精度なMOSFETモデルHiSIMをMOSFET部に用い,ベース抵抗を新たにモデル化した.HiSIM-IGBTは,物理に基づき,IGBTの基本特性及びスイッチング特性を高精度に再現することができ,IGBTを用いた回路設計をより速く正確に行うことを可能とする.

• 2009-11-05

著者

• 三宅 正尭

  広島大学HiSIM研究センター

• 舛岡 弘基

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• フェルトマン ウヴェ

  広島大学HiSIM研究センター

• 三浦 道子

  広島大学HiSIM研究センター

• 三宅 正尭

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 三浦 道子

  広島大学hisim研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科

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