HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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高耐圧MOSFETは数Vから数100Vまでの広い耐圧をMOSFET部分とドレイン側のドリフト部分を調整することによって実現している.どのような耐圧のデバイスに対しても高精度な回路特性予測を実現するために、高抵抗ドリフト領域の正確なモデル化を行った.ここでは特に、オーバーラップ領域の2次元的な電流の流れを考慮することによってこれを実現した.物理的な起源の明らかな6個のモデルパラメータで、様々の構造に対して正確な電流-電圧特性を記述できることを示した.開発したモデルをHiSIM_HVの第2世代モデルに組み、再現性を評価した.
- 2010-11-04
著者
-
三浦 道子
広島大学大学院先端物質科学研究科,HiSIM研究センター
-
三宅 正尭
広島大学大学院先端物質科学研究科,HiSIM研究センター
-
菊地原 秀行
広島大学大学院先端物質科学研究科,HiSIM研究センター
-
菊地原 秀行
広島大学大学院先端物質科学研究科 Hisim研究センター
-
菊地原 秀行
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
Juergen Mattausch
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
Liu Yong
Spice Modeling Lab Texas Instruments
-
田中 昭洋
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
折附 泰典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
Green Keith
SPICE Modeling Lab, Texas Instruments
-
三宅 正尭
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学
-
Green Keith
Spice Modeling Lab Texas Instruments
-
マタウシュ ハンス
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
リウ ヨン
SPICE Modeling Lab, Texas Instruments
-
グリーン キース
SPICE Modeling Lab, Texas Instruments
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