回路設計者のための先端MOSFETモデル : マイヤーモデルから表面ポテンシャルモデルまで
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概要
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1970年代に回路モデルとして初めて開発されたMeyerモデルは、アナログ回路で使われるmoderate inversion領域では正しい記述ができない。その理由は、モデルが強反転領域のみで有効な、ドリフト近似のもとに成立っていることによる。モデルの信頼性向上に向けて、BSIMのようなMeyerモデルを継承したモデルと平行して、デバイス物理に従った表面ポテンシャルモデルが開発されてきた。表面ポテンシャルモデルの基本をHiSIMに基づいて解説する。更にRFデバイスで観測される諸現象についてこの起源とモデル化方法、およびこのような現象における表面ポテンシャルモデルの優位性を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-11
著者
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