MOSFET高周波等価回路についての検証

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概要

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• デバイスシミュレーションによるMOSFETの高周波特性から高周波等価回路のパラメータ抽出を行い、基板部分の抵抗がゲート長によって変化するという結果が得られた。この事からMOSFETの高周波動作の物理特性として基板の記述が重要な意味を持つと考え、基板部分の抵抗を3つに分けた新しい等価回路を提案し、解析を行った。その結果、ゲート長の減少に伴いソース・ドレインのjunctionと基板との間の抵抗が減少することがわかった。また、測定値からのパラメータ抽出も行い、提案した等価回路および基板抵抗のゲート長依存性の検証を行った。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-09-20

著者

• 三浦 道子

  広島大学大学院先端物質科学研究科,HiSIM研究センター

• 上野 弘明

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 西澤 学

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 河野 博昭

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大城 誠和

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 三浦 道子

  広島大学先端物質科学研究科

• 三浦 道子

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 三浦 道子

  広島大学

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