MOSFETモデル評価用テスト回路(1) : しきい値電圧付近の電流領域の評価
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-07
著者
-
三浦 道子
広島大学HiSIM研究センター
-
マタウシュ ハンス
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
山口 哲哉
Starc
-
マタウシュ ハンス
広島大学先端物質科学研究科半導体集積科学専攻
-
小田中 紳二
Starc
-
奈良 真治
広島大学
-
龍見 嘉之
広島大学
-
熊代 成孝
STARC
-
中山 範明
STARC
-
マタウシュ ハンス
広島大学 ナノデバイスシステム研究センター
-
中山 範明
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
龍見 嘉之
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学
-
マタウシュ ハンス
広島大学
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