p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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縦型と横型の両方のp-i-nフォトダイオードに対して,キャリア輸送の解析的なモデルをフーリエ空間で記述する.計算された光電流は,高い逆バイアスの条件下で,〜10GHzのスイッチングの測定結果を良く再現する.我々のモデルは,短い計算時間と正確さが要求される光電子集積回路の回路シミュレーションに利用可能である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-09-20
著者
-
三浦 道子
広島大学大学院先端物質科学研究科,HiSIM研究センター
-
松島 理
ローム株式会社
-
金野 幸吉
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
松島 理
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
原 清仁
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
鈴木 学
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
ナバロ ドンディ
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学大学院先端物質科学研究科
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三浦 道子
広島大学
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