多段結台網を用いた小面積な多バンクメモリの性能評価(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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概要
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従来の多バンクメモリにおけるプロセッサとバンクメモリ間の結合は,非閉塞網のクロスバを用いるのが一般的であるが,高いアクセスバンド幅と小面積を両立できない.そこで,閉塞網を用いることで小面積な多バンクメモリを実現する手法が考えられる.しかし,閉塞網は非閉塞網と比較して,結合網の性能を表すアクセス通過率の値が低いという問題がある.この問題を解消する手法としてEBSF (Expand Banyan Switching Fabrics)と呼ばれる閉塞網が提案されている.ただし,既に提案されているEBSFは出力ポート数を入カポート数に等しくするため,いくつかの出力ポートを括束している.本論文では,EBSFのステージ数を追加して出力ポート数の括束を行っていない.本稿ではEBSFのステージ数を追加した閉塞網を多バンクメモリに利用し,シミュレーションによる性能評価,および,回路規模評価を行った.本手法は従来の多バンクメモリと比較して,処理時間の増加を約10%以下に抑え,回路規模を1/10にできることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-28
著者
-
弘中 哲夫
広島市立大学大学院情報科学研究科情報工学専攻
-
マタウシュ ハンス
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
小出 哲士
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
佐々木 敬泰
広島市立大学情報科学部
-
弘中 哲夫
広島市立大学
-
佐々木 敬泰
三重大学
-
井上 智宏
広島市立大学情報科学研究科
-
Juergen M
広島大 ナノデバイスシステム研セ
-
マタウシュ ハンス
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
井上 智宏
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
弘中 哲夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
小出 哲士
広島大学
-
マタウシュ ハンス
広島大学大学院先端物質科学研究科
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