閉塞網を用いたバンクベース多ポートメモリの構成と回路規模評価(信号解析,アルゴリズム,回路設計)(デザインガイア2003 -VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
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概要
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メモリのアクセスバンド幅の向上のために多バンク型多ポートメモリが用いられることがある.一般的にこの手法ではプロセッサとバンクメモリ間の結合にクロスバが用いられる.しかしながら,ポート数,バンク数が大きくなるとクロスバ部分のチップ面積が増大し,大きなポート数を持つメモリが実現できない問題がある.そこで,本稿ではプロセッサとバンクメモリ間の結合に閉塞網を用いた多バンク型多ポートメモリを提案する.トランジスタ数による評価の結果,提案手法は従来手法の10%〜20%程度のトランジスタ数で実現できることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-21
著者
-
弘中 哲夫
広島市立大学大学院情報科学研究科情報工学専攻
-
小出 哲士
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
弘中 哲夫
広島市立大学
-
佐々木 敬泰
三重大学工学部
-
佐々木 敬泰
三重大学
-
井上 智宏
広島市立大学情報科学研究科
-
マタウッシュ ハンス
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
Juergen M
広島大 ナノデバイスシステム研セ
-
マタウシュ ハンス
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
井上 智宏
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
弘中 哲夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
小出 哲士
広島大学
-
マタウシュ ハンス
広島大学大学院先端物質科学研究科
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