半導体デバイス開発におけるTEMの活用 高誘電体膜の場合
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概要
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- 日本電子顕微鏡学会の論文
- 1999-11-01
著者
-
中村 新一
(株)東芝研究開発センター
-
阿部 和秀
(株)東芝 研究開発センター
-
竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
-
小松 周一
(株)東芝総合研究所
-
小松 周一
(株)東芝 研究開発センター
-
中村 新一
東芝 研開セ
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中村 新一
(株)東芝
-
中村 新一
(株)東芝 研究開発センター
-
阿部 和秀
東芝・総合研究所
-
Abe Kazuhide
Material And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
-
Abe Kazuhide
Metals And Ceramics Laboratory Toshiba R&amo;d Center Toshiba Corporation
-
Abe Kazuhide
Research And Development Center Toshiba Corporation
-
Abe Kazuhide
Materials And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
-
阿部 和秀
(株)東芝研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
-
阿部 和秀
(株)東芝
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