小池 正浩 | (株)東芝研究開発センター
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概要
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半導体MIRAI-ASET
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小池 正浩
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(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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- 反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)