プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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熱CVD法により堆積したHfシリケイト膜に対しプラズマ酸化及びプラズマ窒化を行う、HfSiONゲート絶縁膜の形成プロセスを開発した。プラズマを用いた内部酸化によって形成された高品質な極薄界面層によって、240cm^2/Vs(0.8MV/cm時、SiO_2の85%)の電子移動度と、73cm^2/Vs(0.5MV/cm時、SiONの93%)の正孔移動度が達成された。これは近い将来の低消費電力CMOSデバイスの製造において有望なプロセスとなるであろう。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-19
著者
-
渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
-
金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
-
佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
-
関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
西山 彰
(株)東芝研究開発センター
-
丹羽 祥子
(株)東芝
-
鎌田 善己
(株)東芝
-
鎌田 善己
東芝
-
関根 克行
東芝 セミコンダクター社
-
犬宮 誠治
東芝
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
江口 和弘
(株)東芝
-
綱島 祥隆
(株)東芝
-
小山 正人
(株)東芝
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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