NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程
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概要
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NH_3によるSi(100)の原子層熱窒化過程を研究した。ここで、表面吸着と反応を分離するために、高清浄瞬時加熱LPCVD装置を用いた。基板温度400℃で毎分1回のXeフラッシュ光照射(60J/cm^2)による瞬時加熱をした場合、Si(100)表面のN原子面密度は窒化時間(Xeフラシュ光照射回数)とともに増加し、約2.7x10^<15>cm^-2に飽和する傾向にある。そのNH_3の反応効率は瞬時加熱なしの熱窒化に比べて大幅に増加した。吸着と反応の分離により、Si(100)表面の窒化過程は、ラングミュア型吸着に基づくNH_3の物理吸着とそれに続く反応で定量的に説明できることを見いだした。またXPSにより、瞬時加熱による窒化でも、650℃での熱窒化と同様に表面Si原子のバックボンドへ窒化が進行することが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-20
著者
-
渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
渡辺 健
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学
-
Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
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