Wの低温選択成長とその初期過程
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概要
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基板加熱型高清浄減圧CVD装置を用いて、WF_6-SiH_4系による約100〜200℃でのSi上へのWの選択成長について研究を行った。このような低温下において、きわめて長い「成長遅れ時間」すなわち、Si上にWが成長しない時間を見いだした。しかしながら、成膜前熱処理(Preheat)を行うことによりこの成長遅れ時間は大幅に減少し、約100℃においてもSi上にWの選択成長を実現できた。Preheat後の、約100℃におけるH_2中での保持時間を長くすると成長遅れ時間は大きく増加するのに対し、Ar中での保持時間を長くしても成長遅れ時間はあまり増加しなかった。さらにWF_6を先に供給すると成長遅れ時間は減少することがわかった。また、Preheat法を用いてコンタクトホール埋め込みを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-15
著者
-
松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
山本 裕司
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
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