WF_6-SiH_4系によるWの低温選択成長初期過程

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概要

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基板加熱型高清浄減圧CVD装置を用いて、約100℃におけるWF_6とSiH_4のSi表面での反応の実験を行い、その反応をXPS及びFT-IR測定により検討した。Ar雰囲気中でのPreheatにより終端水素を脱離させたSi(100)表面にはWF_6は解離吸着し、WF_x(x=0〜6)とSi-Fが形成された。一方、希HF処理後のSi-Dihydride表面にはほとんどWF_6は吸着しなかった。すなわち、Si表面の終端水素の脱離がWF_6の吸着を促進することがわかった。また、WF_6とSiH_4の交互導入の実験結果から、SiH_4はWF_xの吸着した表面からFを受け取り何らかのSi系吸着種の形で吸着し、WF_6はそのSi系吸着種を脱離させながら反応すると考えられれる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-08-20

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