選択Si_<1-x>Ge_x CVDによる自己整合極浅接合形成と超微細MOSFETの製作
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概要
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MOSFETの微細化の障害となる短チャネル効果を防ぐソース/ドレイン自己整合極浅接合形成法を提案する。高清浄減圧CVD法を用いると同時にシーケンスの最適化を図ることにより、n型Si基板上へのBドープSi_<1-x>Ge_xの選択成長に成功し極浅pn接合を実現した。さらに、このBドープSi_<0.5>Ge_<0.5>の選択成長をソース/ドレインに適用することによりpチャネルMOSFETを試作し、Bイオン注入により作製した従来構造のMOSFETとの比較により、その有効性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-16
著者
-
松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
澤田 康次
東北大学電気通信研究所
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
後藤 欣哉
株式会社ルネサステクノロジ
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
-
本間 文孝
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
後藤 欣哉
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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