Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発(配線・実装技術と関連材料技術)

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概要

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• テクノロジーノードが32nm以細のデバイスにおいて、配線の実効誘電率を低減するため、Porous Low-k膜を直接研磨するDirect-CMPプロセスの実現が求められている。しかしながら、このDirect-CMPプロセスは、層間膜の破壊電圧(=耐圧)が劣化する問題を抱えている。本論文では、Direct-CMP時に発生するピット欠陥が引き起こす耐圧劣化について報告する。さらに、マイクロポア密度の低い研磨パッドを用いることで、ピット欠陥を低減し、耐圧劣化を改善した。また、ピット低減のメカニズムについて考察する。

• 2010-01-29

著者

• 興梠 隼人

  パナソニック株式会社

• 千葉原 宏幸

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鈴木 繁

  パナソニック株式会社

• 筒江 誠

  パナソニック株式会社

• 瀬尾 光平

  パナソニックセミコンダクターエンジニアリング株式会社

• 岡 好浩

  株式会社ルネサステクノロジ

• 後藤 欣哉

  株式会社ルネサステクノロジ

• 赤澤 守昭

  株式会社ルネサステクノロジ

• 宮武 浩

  株式会社ルネサステクノロジ

• 松本 晋

  パナソニック株式会社

• 上田 哲也

  パナソニック株式会社

• 興梠 隼人

  パナソニック(株)セミコンダクタ一社

• 瀬尾 光平

  パナソニックセミコンダクターエンジニアリング(株)

• 松本 晋

  パナソニック(株)セミコンダクタ一社

• 鈴木 繁

  パナソニック(株)セミコンダクタ一社

• 上田 哲也

  パナソニック(株)セミコンダクタ一社

• 筒江 誠

  パナソニック(株)セミコンダクタ一社

• 鈴木 繁

  パナソニック(株)セミコンダクター社

• 上田 哲也

  パナソニック(株)セミコンダクター社

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