LPCVD法によるSi_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長におけるPおよびBドーピング

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概要

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高清浄ホットウォール型LPCVD装置を用いたSiH_4-GeH_4-H_2系によるSi_<1-x>Ge_x膜の低温(550℃)エピタキシャル成長及びPH_3,B_2H_6を用いたin-situドーピングを行った。その結果、SiH_4及びGeH_4の吸着がラングミュア型の速度式に従うと仮定すると、SiH_4及びGeH_4の吸着速度定数はSi-Geボンド上が最も大きく、一方、SiH_4の表面反応速度定数はGe-Geボンド上で最大になることがわかった。PH_3,B_2H_6を添加した場合、P,Bの取り込み速度は分圧に比例して増加し、また、膜中のGe比率とともに高くなる。このことは、Free Site密度の増加とFree Siteを構成するボンド種の違いによって説明される。特にPをドープした場合高Ge比率では膜中のPは電気的に不活性になりやすい。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-08-16

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