バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_<1-x-y>Ge_XC_y膜のエッチング特性

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
BHF(NH_4F/HF/H_2O)によって処理されたSi_<1-x-y>Ge_xC_yエピタキシャル膜のエッチング特性を調べた。また角度分解XPSにより表面分析を行った。Si(X=0,Y=0)膜はアルカリ領域BHFで良くエッチングされ、Ge(X=1,Y=0)膜はNH_4Fの含まれるBHF組成であって酸性領域BHFで良くエッチングされた。さらにSi_<1-x-y>Ge_xC_y膜はアルカリ領域BHF(HF=0.01wt%, NH_4F=40wt%)でエッチングされ、Si_<1-x-y>Ge_xC_y(x=0.16-0.413)はSi_<1-x-y>Ge_xよりエッチング速度が遅いことがわかった。XPS強度比の光電子脱出角依存性から、処理BHFのpHが高いほどSi_<0.6>Ge_<0.4>表面に1原子層程度のGeが偏析することがわかった。これはBHP中でのSi、とGeのエッチング特性が異なるためと推測される。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-05-18

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク