ドライエッチング後の微細コンタクトホール内の洗浄技術
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概要
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ドライエッチングによるコンタクトホール開孔後の洗浄技術を確立した。微細ホール内の洗浄液として、極めて低HF濃度(約0.1wt%)で高NH_4F濃度(約40wt%)からなるバッファードフッ酸に少量の界面活性剤(60ppm以下)と過酸化水素水(7wt%以下)を添加したものを用いる。これにより、洗浄後のホール径の拡張やシリコン表面のマイクロラフネスの発生を防止でき、コンタクトホールの歩留まり低下及びコンタクト抵抗の増加の原因となるホール内の堆積ポリマーや自然酸化膜及びダメージ層も1回の洗浄工程で同時に除去できる。
- 1997-04-24
著者
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溝渕 孝一
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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石田 彰一
森田化学工業株式会社
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宮本 光雄
森田化学工業株式会社
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後藤 日出人
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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亘 徹
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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石田 彰一
森田化学工業株式会社:東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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