高量子効率のCCD撮像素子のための新しい横型オーバーフロードレイン技術
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概要
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高量子効率CCD用の余剰電荷排出機構としてJFET型の横型オーバーフロードレイン(LOD)を新たに開発した。このLODは0.25um以下のJFETを使って実現され、LODの外径が1um以下になるまで縮小可能である。この縮小化により3um画素のCCDにもLODを使用することが出来る。5um未満の画素寸法を持つ仮想位相電極CCDに、このLOD技術を適用し、電荷排出能力の評価を行なった。ブルーミング抑制用のバリアの高さは、ドレインバイアスのみで制御可能で、非常に強い光の下で優れた余剰電荷排出能力を示した。また、このLODの工程追加による顕著な暗電流増加の問題が生じないことも確認された。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2001-03-16
著者
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溝渕 孝一
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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足立 理
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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後藤 浩之
日本テキサス・インスツルメンツdispプロセスインテグレーション
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島田 英俊
日本テキサス・インスツルメンツDISPプロセスインテグレーション
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