横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの暗電流耐性とオーバーフロー特性(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
完全空乏転送埋め込み型フォトダイオード(PD)に隣接して同一蓄積時間内に飽和を超える光電荷を蓄積する横型オーバーフロー蓄積容量(CS)を画素毎に設置した広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサにおける、フローティングディフュージョン(FD)およびCS部で発生する暗電流・リセットノイズに対する耐性、および、高照度下においてPDからFD+CSおよび基板方向へ流れるオーバーフロー電流の特性について論じる。本イメージセンサがFDおよびCS部で発生する暗電流・リセットノイズに対して高い許容度を持つこと、および、高照度下においてPDから過剰光電荷を基板や隣接画素方向にほとんど漏らさずFD+CS側に流し込めることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-07
著者
-
赤羽 奈々
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
溝渕 孝一
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
-
赤羽 奈々
東北大学大学院工学研究科
-
足立 理
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
-
盛 一也
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
-
石内 敏之
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
関連論文
- LOFIC CMOSイメージセンサの画素縮小化技術(固体撮像技術)
- 画素容量・列容量電荷電圧変換を組合せた多重露光線形応答広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
- 高速カラー撮像IMPACTRON^ CCDラインセンサ(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール)
- 色毎の飽和光量差を低減したWRGB市松画素LOFIC CMOSイメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
- デジタルカメラ用イメージセンサの最新技術
- 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
- 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
- 多重電圧・電流読み出し動作を用いた線形応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 多重電圧・電流読み出し動作を用いた線形応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(イメージセンサ,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
- RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
- 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- フラッシュメモリーにおける新しい信頼性評価技術
- 招待講演 MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 (シリコン材料・デバイス)
- 情報センシング
- 1-1. 情報センシング(1.画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- 真空装置内での有機物汚染挙動
- 局所境界要素法によるイメージセンサの3次元波動光学シミュレーション
- MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
- プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- CMOSイメージセンサの画素トランジスタのノイズ測定(イメージセンサ一般(IISW報告会含む))
- 高温下の耐性・撮像性能を改善した広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(イメージセンシング技術とその応用)
- 横型オーバフロー蓄積と電流読出し動作を組合せたダイナミックレンジ200dB超のCMOSイメージセンサ(イメージセンシング技術とその応用)
- 画素SFのフィードバック動作を用いた高感度CMOSイメージセンサ (情報センシング)
- 200dB超の広ダイナミックレンジ性能をもつ横型オーバーフロー容量CMOSイメージセンサの高S/N動作方法
- 横型オーバーフロー蓄積と電流読み出し動作を組み合わせたダイナミックレンジ200dB超のCMOSイメージセンサ
- 感度とリニアリティ特性を改善した横型オーバーフロー蓄積容量型広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
- 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの暗電流耐性とオーバーフロー特性(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
- リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
- リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
- マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成
- 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
- 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
- SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
- SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- CDS-1-1 広ダイナミックレンジLOFIC CMOSイメージセンサ技術(CDS-1.高ダイナミックレンジ映像技術の最前線〜高ダイナミックレンジ化がもたらす映像システムの新たな展開〜,シンポジウムセッション)
- CDS-1-1 広ダイナミックレンジLOFIC CMOSイメージセンサ技術(CDS-1.高ダイナミックレンジ映像技術の最前線〜高ダイナミックレンジ化がもたらす映像システムの新たな展開〜,シンポジウムセッション)
- 微細MOSデバイスのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 微細MOSデバイスのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 招待講演 広ダイナミックレンジ撮像技術-システムレベル (情報センシング コンシューマエレクトロニクス)
- 大規模アレイTEGを用いた画素ソースフォロア相当のトランジスタのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズの統計的解析 (情報センシング コンシューマエレクトロニクス)
- 機能・工程設計フレームワークと機能品質完結生産(技術経営, 第20回年次学術大会講演要旨集I)
- ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 画素容量蓄積と列容量蓄積を利用した高S/Nリニア応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ (情報センシング)
- LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ技術
- 広ダイナミックレンジイメージセンサの最新動向(撮像技術の最新動向)
- PELOC : 動的再構成FPGA用自動配置配線ツール : フレキシブルプロセッサへの応用(設計手法とシステムソフトウェア)
- 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの暗電流耐性とオーバーフロー特性
- 列並列演算器を備えたリアルタイムオブジェクト抽出を行なう高機能高画質CMOSイメージセンサ
- 原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル酸化による Poly-Si TFTの高性能化に関する研究
- ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 段階投資型半導体製造施設の研究
- シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
- マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
- 小規模生産ラインとクリーン化技術
- 画像圧縮用ベクトル量子化プロセッサ
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
- 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
- 325万画素APS-CサイズCMOSイメージセンサ
- 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術
- CMOSイメージセンサ技術
- マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2プラズマを用いたシリコン酸窒化膜の低温形成
- バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術
- マイクロ波励起Kr/O_2プラズマによるシリコン酸化膜の低温形成
- マイクロ波励起低温高密度プラズマプロセス
- 知的財産マネジメントにおける発明評価に関する研究 (特集 知的財産の価値評価) -- (第2部 知的財産価値評価に関する論文)
- 特許出願意思決定支援のための発明評価への工学的手法の適用
- バースト10MfPsと連続10Kfpsの撮像速度を有する高速CMOSイメージセンサのプロトタイプ試作評価(固体撮像技術および一般)
- 10Mfps高速CMOSイメージセンサの高S/N読み出し動作(高機能イメージセンシングとその応用)