低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
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概要
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450℃以下の低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/bcc-Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFETを開発した。ゲート絶縁膜であるSi_3N_4は高密度プラズマを用いた直接窒化により形成した。またゲート電極はbcc-Ta(〜15μΩcm)/TaNx(bcc-Ta/TaNx)を用いてシート抵抗は1Ω/□以下である。金属ゲート電極とゲート絶縁膜界面での反応を抑えるためにソース・ドレインの活性化アニールは450℃でおこなった。本発表では、450℃以下の低温プロセス、従来型ゲート電極構造を用いた完全空乏型SOIMNSFETを試作したので、それに関して報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-27
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
中尾 慎一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
小野 泰弘
東北大学大学院工学研究科
-
小野 泰弘
元東北大工
-
小野 泰弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
程 イ涛
東北大学大学院工学研究科
-
大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
-
平山 昌樹
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
島田 浩行
セイコーエプソン株式会社
-
島田 浩行
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
中尾 慎一
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
Ono Yasuhiro
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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