大嶋 一郎 | 東北大学大学院工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 東北大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 須川 成利

  東北大学 大学院 工学研究科

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学共同センター

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

• 平山 昌樹

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 島田 浩行

  セイコーエプソン株式会社

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 中尾 慎一

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 程 イ涛

  東北大学大学院工学研究科

• 島田 浩行

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 中尾 慎一

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学共同センター

• 小野 泰弘

  元東北大工

• 小野 泰弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 樋口 正顕

  株式会社東芝

• Ono Yasuhiro

  Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Tohoku University

• 須川 成利

  東北大学大学院 工学研究科

• 佐野 泰久

  阪大院工

• 森 勇藏

  大阪大学大学院工学研究科

• 小野 泰弘

  東北大学大学院工学研究科

• 佐野 泰久

  大阪大 大学院工学研究科

• 山村 和也

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 佐野 泰久

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 森 勇藏

  大阪大学大学院 工学研究科

• 小村 政則

  東北大学工学研究科

• 樋口 正顕

  東北大学大学院工学研究科

• 小村 政則

  東北大学大学院工学研究科

• 須川 成人

  東北大学大学院工学研究科

• 森田 諭

  大阪大学大学院工学研究科

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科

• 斉藤 祐司

  東北大学大学院工学研究科

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 河合 邦浩

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設

• 牛木 健雄

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 平山 昌樹

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 佐野 泰久

  大阪大学大学院工学研究科

• 斉藤 祐司

  東北大学大学院工学研究科:(現)セイコーエプソン(株)生産技術開発本部

• 中川 宗克

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 牛木 健雄

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 諏訪 智之

  東北大学大学院工学研究科

• 樋口 正嗣

  東北大学大学院工学研究科

• 程? 涛

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 大見 忠弘

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 程 〓涛

  東北大学大学院工学研究科

• 程 ?涛

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 伊野 和英

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 伊野 和英

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設

• 大見 忠弘

  東北大学大学院工学研究科

• 山村 和也

  大阪大学大学院

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著作論文

• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
• 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術
• 高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成に関する研究
• Ta/SiO_2界面反応層がタンタルゲートMOSデバイスの特性に与える影響
• 低抵抗bcc-Taゲート完全空乏型SOIMOSデバイス作製技術

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