河合 邦浩 | 東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設

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• 東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設の論文著者

関連著者

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 河合 邦浩

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設

• 牛木 健雄

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 牛木 健雄

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設

• 大嶋 一郎

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 篠原 壽邦

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 森田 瑞穂

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 大見 忠弘

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 伊野 和英

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 余 謨群

  東北大学工学部電子工学科

• 篠原 壽邦

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設

• 伊野 和英

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設

• 大見 忠弘

  東北大学大学院工学研究科

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学共同センター

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著作論文

• ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価
• Ta/SiO_2界面反応層がタンタルゲートMOSデバイスの特性に与える影響
• 低抵抗bcc-Taゲート完全空乏型SOIMOSデバイス作製技術

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