大見 忠弘 | 東北大学未来科学技術共同研究センター

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概要

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• 東北大学未来科学技術共同研究センターの論文著者

関連著者

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学 大学院 工学研究科

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

• 大見 忠弘

  東北大学

• 平山 昌樹

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 樋口 正顕

  株式会社東芝

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 二井 啓一

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学工学部

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 斉藤 祐司

  東北大学大学院工学研究科

• 須川 成利

  東北大学工学研究科技術社会システム

• 池永 英司

  高輝度光科学研究センター

• 大石 潔

  長岡技術科学大学

• 橋本 誠司

  群馬大学

• 久保田 弘

  熊本大学

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻

• 池永 英司

  (財)高輝度光科学研究センター

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 服部 健雄

  東北大学未来情報産業共同研究センター

• 赤堀 浩史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部

• 阿部 健一

  日本大学工学部情報工学科

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 健一

  東北大

• 濱田 龍文

  東北大学大学院工学研究科

• 諏訪 智之

  東北大学大学院工学研究科

• 石川 赴夫

  群馬大学

• 樋口 正顕

  東北大学工学研究科

• 品川 誠治

  武蔵工業大学工学部

• 樋口 正顕

  東北大学大学院工学研究科

• 小村 政則

  東北大学工学研究科

• 小村 政則

  東北大学大学院工学研究科

• 後藤 哲也

  東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 渡辺 一史

  東北大学大学院工学研究科

• 大川 猛

  (独)産業技術総合研究所情報技術研究部門

• 中尾 慎一

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• TERAMOTO Akinobu

  New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University

• 久保 百司

  東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター

• 小坂 光二

  熊本テクノロジー

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 荒谷 崇

  信越化学工業株式会社

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 程 イ涛

  東北大学大学院工学研究科

• 谷 クン

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 根本 剛直

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大

• 宮本 明

  東北大学大学院 工学研究科

• 小野 泰弘

  元東北大工

• 小野 泰弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 山下 哲

  東北大未来科学技術共同研究センター

• 池永 英司

  Crest・jst

• 千葉 景子

  東北大学大学院工学研究科

• 田中 宏明

  東北大学大学院工学研究科

• 河瀬 和雅

  三菱電機(株)先端総研

• 渡辺 高行

  宇部マテリアルズ（株）

• 伊藤 隆司

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 赤羽 奈々

  東北大学 大学院 工学研究科

• 黒澤 富蔵

  産業技術総合研究所

• 飯嶋 和明

  三機工業(株)エネルギーソリューションセシター

• 佐野 泰久

  阪大院工

• 森 勇藏

  大阪大学大学院工学研究科

• 小林 啓介

  物材機構

• 遠藤 明

  東北大学大学院工学研究科

• 小野 泰弘

  東北大学大学院工学研究科

• 佐野 泰久

  大阪大 大学院工学研究科

• 山村 和也

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 佐野 泰久

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 高橋 研

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 森 勇藏

  大阪大学大学院 工学研究科

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学電気系

• 高田 雅介

  長岡技科大

• 磯田 直征

  東北大学大学院工学研究科

• 佐々木 由美子

  東北大学大学院工学研究科

• 伊藤 隆司

  東北大学大学院工学研究科

• 菅原 健太郎

  上智大学理工学部

• 権太 聡

  (独)産業技術総合研究所計測標準研究部門長さ計測科幾何標準研究室

• 三隅 伊知子

  (独)産業技術総合研究所計測標準研究部門長さ計測科幾何標準研究室

• 遠藤 梨紗

  東北大学大学院工学研究科

• 内田 晶子

  東北大学大学院工学研究科

• 菅原 健太郎

  東北大学大学院工学研究科

• 千田 朝子

  東北大学大学院工学研究科

• 松浦 純

  東北大学大学院工学研究科

• 篠田 克己

  東北大学大学院工学研究科

• 伊賀 英樹

  東北大学大学院工学研究科

• 横須賀 俊之

  東北大学大学院工学研究科

• 今村 詮

  広島国際学院大学工学部

• 今村 詮

  広島国際学院大学

• 荒谷 崇

  東北大学大学院工学研究科

• 須川 成人

  東北大学大学院工学研究科

• 鈴木 克昌

  大陽日酸株式会社

• 森田 諭

  大阪大学大学院工学研究科

• 植村 聡

  東北大学工学部電子工学専攻

• 鈴木 康司

  三機工業(株)技術開発本部

• 泉 浩人

  ステラケミファ株式会社

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 室 隆桂之

  JASRI

• 伊藤 彰則

  東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻

• 高橋 隆行

  福島大学共生システム理工学類

• 室隆 桂之

  SPring-8 JASRI

• 牧野 正三

  東北大学大学院工学研究科

• 宮本 明

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 三浦 隆治

  東北大

• 菅原 卓也

  東京エレクトロンFE(株)PVE BUエリコンシステムFE部

• 鄭 聖熹

  (独)産業技術総合研究所知能システム研究部門安全知能研究グループ

• 森本 明大

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 杉村 正彦

  日本ゼオン株式会社総合開発センター

• 河田 敦

  日本ゼオン株式会社総合開発センター

• 川崎 雅史

  日本ゼオン株式会社総合開発センター

• 脇坂 康尋

  日本ゼオン株式会社総合開発センター

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 坪井 秀行

  東北大学大学院工学研究科応用化学専攻

• 高橋 研

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 池永 英司

  JASRI SPring-8

• 永坂 茂之

  新日本空調

• 廣沢 一郎

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)

• 三浦 邦夫

  新日本空調(株)

• 石井 裕

  シャープ株式会社ディスプレイ技術開発本部

• 阿部 健一

  東北大学工学部

• 山口 拓也

  島根医科大学 第三内科

• 小林 啓介

  高輝度光科学研究センター

• 中野 栄二

  東北大・情報科学

• 室隆 佳之

  JASRI

• 庄司 道彦

  横浜国立大学

• 中野 栄二

  千葉工業大学

• 中西 敏雄

  東京エレクトロンat Spa開発技術部

• 村川 恵美

  東京エレクトロン株式会社

• 竹内 政志

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 本田 稔

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 石塚 修一

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 廣田 良浩

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 田中 義嗣

  東京エレクトロン株式会社

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 広沢 一郎

  NEC

• 広沢 一郎

  高輝度光科学研究センター

• 高増 潔

  東京大学大学院工学系研究科

• 四ツ柳 隆夫

  宮城工業高等専門学校

• 鈴木 宏和

  株式会社熊谷組

• 林 輝幸

  東京エレクトロン(株)

• 広沢 一郎

  Nec分析評価センター

• 広沢 一郎

  Jasri

• 廣沢 一郎

  高輝度光科学研究センター(spring-8)

• 廣沢 一郎

  (財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i

• 廣沢 一郎

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 田嶋 義宣

  オルガノ株式会社総合研究所

• 田嶋 誠

  東北大

• 石川 拓

  東京エレクトロン技術研究所(株):東北大学大学院工学研究科

• 柴田 直

  東京大学大学院工学系研究科都市工学専攻

• 平澤 〓

  ナレッジフロント

• 平澤 〓

  政策研究大学院大学

• 倉元 直樹

  東北大学アドミッションセンター

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 井口 泰孝

  東北大学工学部

• 稲葉 仁

  高砂熱学工業(株)

• 石井 裕

  シャープ(株)ディスプレイ技術開発本部

• 前川 繁登

  三菱電機株式会社LSI研究所

• 鄭 聖熹

  福島大学共生システム理工学類

• 高増 潔

  東大工

• 権太 聡

  産業技術総合研究所 計測標準研究部門 長さ計測科 幾何標準研究室

• 三隅 伊知子

  産業技術総合研究所 計測標準研究部門 長さ計測科 幾何標準研究室

• 山田 祐一郎

  シャープ(株)ディスプレイ技術開発本部avcディスプレイ研究所第2研究部

• 谷口 洋志

  中央大学経済学部

• 丸山 瑛一

  理化学研究所フロンティア研究システム

• 大塚 善樹

  広島経済大学

• 和田 昭允

  理化学研究所ゲノム科学総合研究センター

• 廣松 毅

  東京大学大学院総合文化研究科

• 山下 雄一郎

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 前川 繁登

  ルネサス

• 大中 逸雄

  大阪大学工学部

• 丸山 瑛一

  理化学研究所

• 土屋 敏章

  島根大学 総合理工学部

• 鈴木 宏和

  株式会社熊谷組技術研究所

• 牛尾 二郎

  株式会社日立製作所

• 荒谷 崇

  東北大学工学研究科技術社会システム専攻

• 服部 武雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• Kobayashi Keisuke

  JASRI SPring8

• 樋口 正嗣

  東北大学大学院工学研究科

• 程? 涛

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 荒川 公平

  日本ゼオン(株)

• 宮城 孝一

  日本ゼオン(株)高岡工場

• 古山 通久

  東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻

• 井口 泰孝

  東北大学大学院工学研究科

• 森田 瑞穗

  東北大学工学部電子工学科:東北大学電気通信研究所付属超高速密度・高速知能システム実験施設

• 神戸 正純

  新日本空調(株)

• 鈴木 宏和

  (株)熊谷組技術研究所

• 阿部 俊和

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 鈴木 基之

  東北大学大学院工学研究科

• 岩本 敏幸

  東北大学工学部電子工学科

• 菅原 広

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 河瀬 和雅

  三菱電機先端総研

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著作論文

• ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
• 表面平滑低損失樹脂を用いた高速信号配線
• 非共振型超音波アクチュエータ駆動精密ステージの位置決め制御における摩擦補償法
• スティックスリップ補償と連続軌跡追従制御に基づく超音波アクチュエータ駆動精密ステージの一制御法
• n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ(プロセス科学と新プロセス技術)
• シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
• 2段シャワープレート型マイクロ波プラズマエッチャーを用いた多層膜の連続エッチング
• RTN測定の高精度・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件 (情報センシング)
• 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
• 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
• NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討
• シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ポリシー・マネジメントの国際比較
• 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
• 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
• プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
• RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
• 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• 高信頼性極薄ゲート酸化膜形成技術
• 電子デバイス製造用クリーンルームにおける室内系統水噴霧加湿の研究 : 第1報-省エネルギー効果の検証
• シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 極薄ゲート酸化膜の有機物汚染が与える影響
• カーボン汚染フリー表面クリーニング及びウェハ搬送技術
• 真空装置内での有機物汚染挙動
• フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
• MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
• 原子オーダ平坦化ウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法(プロセス科学と新プロセス技術)
• ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
• プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• シリコン表面の原子オーダー平坦化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
• マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術)
• 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)_2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 適応オブザーバに基づく次世代露光装置用超精密ステージの静止摩擦補償法
• ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• 半導体・平板ディスプレイとそれらの製造設備用樹脂材料の分解抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 電気透析法を用いた使用済み現像液の再生・再利用技術
• 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
• 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューテイング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
• リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
• リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
• SPIDER駆動精密ステージの位置決め制御における実験的摩擦補償法
• アンチ･ワインドアップ補償による高速I-P位置制御系の一構成法
• 摩擦モデルに基づく非共振型超音波アクチュエータ駆動精密ステージの一制御法
• 大型液晶ディスプ***ロジェクトが切り開く未来(総合報告)
• High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
• High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
• 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
• 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
• 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成(シリコン関連材料の作製と評価)
• SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成
• 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
• 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• 4.サブ100nm半導体技術の課題と展望(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 2806 測長 AFM を用いたナノ薄膜マイクロパターンの膜厚精密測定
• 測長AFMを用いたマイクロパターン薄膜の厚さ精密測定
• 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• SOI基板材料の品質評価と技術課題
• ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価
• ウルトラクリーン低温プロセスを用いた高信頼性タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET
• 615 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの高速モーション制御
• 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの連続軌跡追従制御系の構成法
• ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ウェハ洗浄溶液のラジカル活性に対する超音波照射の影響
• マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
• マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
• マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
• 技術報告 クリプトンガスを用いたマイクロ波励起高密度プラズマプロセス
• ステンレス表面における微量水分の吸着 -吸着熱および吸着等温式の検討-
• FPD用ガラス基板のエッチャントに関する研究
• 超純水中に残存する痕跡不純物のシリコンウェハへの付着挙動
• 高密度Kr/O_2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O_2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究
• 金属表面フッ化不動態皮膜の形成と特性
• ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• 酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
• 21世紀への扉(6)瞬時応答機能が世界の知恵比べに(座談会)(下)
• 分離度フィルタとVQヒストグラム法によるカラー画像から目の検出(テーマセッション, 顔・ジェスチャーの認識・理解)
• 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 3116 人間の手助けとなる機能を有するロボット IRIS の開発
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• イオン注入により形成されるドーパントに絡んだ欠陥とそのドーパント種依存性
• LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• F2-1 革命期を迎える半導体技術(総論)(F.2 半導体製造工程は,今何が問題なのか)
• 高効率半導体生産ラインを実現する高性能バックポンプの開発
• 高効率半導体生産ラインを実現する高性能バックポンプの開発
• 電子デバイス製造用クリーンルームにおける室内系統水噴霧加湿の研究 : 第1報-省エネルギー効果の検証
• クリーンルームを有する施設の省エネルギー化に関する研究 その1 シミュレーションプログラム開発と適用
• 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
• 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
• ガス供給系における金属表面の吸着水とその除去
• タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET作製技術におけるプロセスガイドライン
• 設備研究 東北大学未来情報産業研究館(その2)(フラクチュエーションフリーファシリティー)
• 設備研究 東北大学未来情報産業研究館(フラクチュエーションフリーファシリティー)(その1)
• 連想するハードウェアをべースとした"しなやかな"知的電子システム
• MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• PELOC : 動的再構成FPGA用自動配置配線ツール : フレキシブルプロセッサへの応用(設計手法とシステムソフトウェア)
• 列並列演算器を備えたリアルタイムオブジェクト抽出を行なう高機能高画質CMOSイメージセンサ
• 原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル酸化による Poly-Si TFTの高性能化に関する研究
• ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 段階投資型半導体製造施設の研究
• シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
• マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
• 小規模生産ラインとクリーン化技術
• 画像圧縮用ベクトル量子化プロセッサ
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術
• マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2プラズマを用いたシリコン酸窒化膜の低温形成
• バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術
• マイクロ波励起Kr/O_2プラズマによるシリコン酸化膜の低温形成
• マイクロ波励起低温高密度プラズマプロセス
• 陽極酸化によるアルミニウム表面への不動態膜形成技術
• 半導体産業における超純水製造技術とその特性
• 高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成に関する研究
• シリカ表面への希ガス照射過程に関する分子動力学的検討
• 高密度プラズマを用いたシリコン直接窒化膜の低温形成
• 差分量子化によるヒストグラム特徴を用いた映像の高速探索(画像信号処理及び一般)
• VQ-SIFTを用いた物体認識ためのロバストな局所画像記述子(画像信号処理及び一般)
• 差分量子化によるヒストグラム特徴を用いた映像の高速探索(画像信号処理及び一般)
• VQ-SIFTを用いた物体認識ためのロバストな局所画像記述子(画像信号処理及び一般)
• 隣接画素差分量子化による顔認識(テーマセッション, 顔・ジェスチャーの認識・理解)
• Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
• Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
• 41646 減圧操作による膜蒸留法を用いた吸収液再生技術の検討(室内空気質,環境工学II)
• 9.大画面化が進む薄型ディスプレイ技術の現状と展望(時代をひらく電子情報通信技術-技術がもたらした変革,そして更なる飛躍-)
• 41506 二酸化塩素を用いた斜行ハニカム式空気殺菌浄化システムの開発 : 斜行ハニカムの特性(汚染物質の制御と換気システム全般,環境工学II)
• 東北大学 未来情報産業研究館スーパークリーンルーム : フラクチュエーションフリーファシリティー
• オゾンの半導体製造分野への適用 : 高精度で再現性を有する全4工程室温洗浄技術
• 半導体プロセスにおける超高純度ガスの安定供給技術 (特集 半導体用のガス)
• エキシマレ-ザ用ガス配管システム (特集:次世代リソグラフィにおけるウルトラクリ-ンテクノロジ-の役割)
• ステンレス表面の酸化クロム不働態処理
• 表面吸着水分の計測
• ステンレス配管システムの酸化クロム不働態処理 (特集 高性能,高信頼,低価格な超高純度ガス供給システム--特殊ガスの完全制御をめざして,まずメンテナンスフリ-ガス供給系から)
• シランガスと各種シリコン表面の相互作用
• シリコン(110)面の平坦化
• シリコン(110)面の平坦化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• Ta/SiO_2界面反応層がタンタルゲートMOSデバイスの特性に与える影響
• 低抵抗bcc-Taゲート完全空乏型SOIMOSデバイス作製技術
• シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 新しいシリコン産業の創出
• 高品質画像実時間伝送を実現する誤差判定適応解像度ベクトル量子化技術
• フレキシブルプロセッサ : パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• フレキシブルプロセッサ : パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 適応解像度ベクトル量子化技術におけるコードブックの理論的作成手法
• 動的再構成LSI向け省回路構成情報量細粒度プログラマブル論理素子に関する研究 : フレキシブルプロセッサ用プログラマブル論理素子(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
• 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発
• 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発
• 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発(FPGAとその応用及び一般)
• 半導体、大型平板ディジタルディスプレイ、そして太陽電池
• 半導体製造ラインにおける瞬間立上げクリーンルーム技術(限界に挑戦)
• 次世代半導体プロセスにおけるウルトラクリーンテクノロジー : 全くゆらぎのない半導体製造プロセス(超精密加工・計測を支える環境制御技術)
• テクノロジー 画像ノイズを抑制する適応解像度ベクトル量子化技術
• 半導体の技術戦略 (特集 半導体産業を支えるオートメーション技術)
• シンポジウム : 次世代の工学教育と社会
• 5-8 線ベクトル量子化によるHMMの顔認識の適用
• 情報通信革命時代の日本の戦略 : 科学技術創造立国
• 新ベクトル量子化による画像圧縮技術の開発
• 半導体製造プロセスにおけるクリーン化技術
• 低エネルギイオン照射を用いたボロンドープシリコン単結晶薄膜の形成
• メガソニックを用いた室温レジスト剥離技術
• 低エネルギイオン照射を用いたシリコン薄膜形成時に生じるドーパント(As, P, Sb, B)の不活性化
• 低エネルギイオン照射を用いたシリコン薄膜形成時に生じるドーパント(As, P, Sb, B)の不活性化

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