赤堀 浩史 | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
二井 啓一
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
赤堀 浩史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
-
永嶋 賢史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
-
川田 宣仁
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センターインテグレーション・計測システム技術開発部
-
市川 徹
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センターインテグレーション・計測システム技術開発部
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
寺本 章伸
東北大学 未来科学技術研究館
-
平山 昌樹
東北大学 未来科学技術研究館
-
濱田 龍文
東北大学工学研究科
-
赤堀 浩史
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
小谷 光司
東北大学工学研究科
-
石田 浩一
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
赤堀 浩史
東北大学 大学院工学研究科電子工学専攻
-
二井 啓一
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
塚本 和巳
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
広田 潤
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
岩鍜治 陽子
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
矢吹 宗
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
金子 和香奈
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
広田 潤
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
永島 幸延
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センターインテグレーション・計測システム技術開発部
-
永嶋 賢史
(株)東芝セミコンダクター社先端メモリ開発センター先端メモリインテグレーション開発部
-
赤堀 浩史
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センターインテグレーション・計測システム技術開発部
著作論文
- シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響(プロセス科学と新プロセス技術)
- ゲート絶縁膜におけるRIEダメージからの回復(プロセス科学と新プロセス技術)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
- シリコン(110)面の平坦化
- シリコン(110)面の平坦化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低温形成SiO_2膜の電気的特性向上に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)