薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用いることが多くなっており、表面モフォロジー、さらにはドーズプロファイルの精密な制御が求められている。成膜によりポリシリコン層を形成する場合、平坦な薄膜表面を得ることが難しいという問題がある。更に、平坦性を有するアモルファスシリコン膜を作製し熱工程により結晶化してポリシリコン層とする場合、薄膜のシリコン層中に結晶核が出来にくいため結晶化には高温を要するという課題もある。これらの問題を改善するべく、成膜時にアモルファスシリコン中に結晶粒を発生させ、その後の結晶化の核として用いる薄膜ポリシリコン形成方法を試行し、物理解析を行った。
- 2010-10-14
著者
-
赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
-
石田 浩一
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
広田 潤
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
岩鍜治 陽子
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
矢吹 宗
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
金子 和香奈
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
広田 潤
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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