界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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平坦化を行ったシリコン(110)面上にMOSFETを形成し、電気的特性について評価を行った。(110)面は従来のRCA洗浄により表面マイクロラフネスが増加することから、表面を荒らさない洗浄方法を開発した。原子状酸素酸化と平坦化技術の組み合わせにより(110)面上にMOSFETを形成することで、従来報告されているよりも正孔・電子移動度が改善できること及び1/fノイズが低減できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-24
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
二井 啓一
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
-
諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
-
赤堀 浩史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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