ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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Poly-Si TFTへの従来の1000℃程度の高温でのゲート酸化膜形成は、酸化の面方位依存性があり、高温でのグレイン成長が発生する。その結果、ゲート酸化膜/Poly-Si界面の界面準位の増加、表面ラフネスの増大を引き起こしてしまいPoly-Si TFTの性能を劣化させてしまう.本研究ではマイクロ波励起高密度プラズマを用いたラジカル酸化により、400℃の低温で高品質なゲート絶縁膜の形成に成功し、Poly-Si TFTの高性能化を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-13
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
石井 克治
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
今泉 文伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
林 朋彦
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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