須川 成利 | 東北大学 大学院 工学研究科

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概要

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• 東北大学 大学院 工学研究科の論文著者

関連著者

• 須川 成利

  東北大学 大学院 工学研究科

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 黒田 理人

  東北大学工学研究科

• 黒田 理人

  東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻

• 赤羽 奈々

  東北大学 大学院 工学研究科

• 平山 昌樹

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 樋口 正顕

  株式会社東芝

• 赤羽 奈々

  東北大学大学院工学研究科

• 大見 忠弘

  東北大学

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター

• 須川 成利

  東北大学工学研究科技術社会システム

• 阿部 健一

  日本大学工学部情報工学科

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 健一

  東北大

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻

• 阿部 健一

  東北大学工学部電気系

• 阿部 健一

  東北大学工学部電気工学科

• 池永 英司

  高輝度光科学研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科

• 小谷 光司

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 阿部 健一

  東北大 大学院工学研究科

• 小谷 光司

  東北大学大学院工学研究科

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 溝渕 孝一

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

• 池永 英司

  (財)高輝度光科学研究センター

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 足立 理

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

• Ohmi Tadahiro

  Department Of Electronic Engineering Tohoku University

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 樋口 正顕

  東北大学工学研究科

• 品川 誠治

  武蔵工業大学工学部

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科

• 宮本 直人

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 樋口 正顕

  東北大学大学院工学研究科

• 渡辺 一史

  東北大学大学院工学研究科

• 藤澤 孝文

  東北大学大学院工学研究科

• 渡部 俊一

  東北大学大学院工学研究科

• 譽田 正宏

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 中山 貴裕

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 田中 康太郎

  東北大学 工学研究科

• 藤林 正典

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻

• 野澤 俊之

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻

• 中山 貴裕

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻

• 平山 昌樹

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 井出 典子

  東北大学 大学院 工学研究科

• 川田 峻

  東北大学大学院工学研究科

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 小村 政則

  東北大学工学研究科

• 服部 健雄

  東北大学未来情報産業共同研究センター

• 田中 宏明

  東北大学大学院工学研究科

• 荒谷 崇

  信越化学工業株式会社

• 小村 政則

  東北大学大学院工学研究科

• 程 イ涛

  東北大学大学院工学研究科

• 斉藤 祐司

  東北大学大学院工学研究科

• 熊谷 勇喜

  東北大学大学院工学研究科

• 川田 峻

  東北大学工学研究科

• 盛 一也

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• 望月 健司

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻

• Teramoto A

  New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

• 中尾 慎一

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 小野 泰弘

  元東北大工

• 小野 泰弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 池永 英司

  Crest・jst

• 武藤 秀樹

  リンク・リサーチ株式会社

• 舘 知恭

  東北大学大学院工学研究科

• 井出 典子

  東北大学大学院工学研究科

• 石内 敏之

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

• 千葉 浩児

  東北大学大学院工学研究科

• 田中 康太郎

  東北大学大学院工学研究科

• 三富士 道彦

  ローム株式会社

• 山葉 隆久

  ローム株式会社

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 浜本 隆之

  東京理科大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 川人 祥二

  静大・電研

• 大竹 浩

  NHK放送技術研究所

• 佐野 泰久

  阪大院工

• 川人 祥二

  静岡大学 電子工学研究所

• 川人 祥二

  静岡大学

• 森 勇藏

  大阪大学大学院工学研究科

• 小林 啓介

  物材機構

• 太田 淳

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 田代 睦聡

  東北大学大学院工学研究科

• 太田 淳

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:jst Crest

• 小野 泰弘

  東北大学大学院工学研究科

• 佐野 泰久

  大阪大 大学院工学研究科

• 山村 和也

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 佐野 泰久

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 山下 哲

  東北大未来科学技術共同研究センター

• 森 勇藏

  大阪大学大学院 工学研究科

• 須川 成利

  東北大学

• 荒谷 崇

  東北大学大学院工学研究科

• 諏訪 智之

  東北大学大学院工学研究科

• 須川 成人

  東北大学大学院工学研究科

• 森田 諭

  大阪大学大学院工学研究科

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 高柳 功

  アプティナジャパン

• 小野田 篤

  浜松ホトニクス株式会社

• 須川 成利

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 白井 泰雪

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 寺本 章伸

  東北大学 未来科学技術研究館

• Kawahito Shoji

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 山下 哲

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 龍崎 梨絵

  東北大学大学院工学研究科

• 高橋 一郎

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学 大学院工学研究科

• 田中 宏明

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 中尾 幸久

  東北大学大学院工学研究科

• 佐野 泰久

  大阪大学大学院工学研究科

• 角 博文

  ソニー(株)半導体(事)イメージセンサ事業部

• 川人 祥二

  静岡大学電子工学研究所

• 谷 クン

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 根本 剛直

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大川 猛

  (独)産業技術総合研究所情報技術研究部門

• 菅原 卓也

  東京エレクトロンFE(株)PVE BUエリコンシステムFE部

• 小室 孝

  東京大学大学院情報理工学系研究科

• 高柳 功

  マイクロンジャパン

• 福田 好朗

  法政大学デザイン工学部

• 池永 英司

  JASRI SPring-8

• 前田 敦

  三菱電機株式会社 北伊丹製作所

• 酒井 伸

  東北大学大学院工学研究科

• 太田 淳

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 阿部 健一

  東北大学工学部

• 小林 啓介

  高輝度光科学研究センター

• 中西 敏雄

  東京エレクトロンat Spa開発技術部

• 村川 恵美

  東京エレクトロン株式会社

• 竹内 政志

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 本田 稔

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 石塚 修一

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 廣田 良浩

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 田中 義嗣

  東京エレクトロン株式会社

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 林 輝幸

  東京エレクトロン(株)

• 福田 好朗

  法政大学大学院デザイン工学部

• 上野 雅史

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 山脇 正雄

  三菱電機株式会社 LSI研究所

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 浜本 隆之

  東京理科大学 大学院 工学研究科

• 浜本 隆之

  東京理科大学院工学研究科電気工学専攻

• 牛尾 二郎

  株式会社日立製作所

• 荒谷 崇

  東北大学工学研究科技術社会システム専攻

• 濱田 龍文

  東北大学大学院工学研究科

• 服部 武雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• Kobayashi Keisuke

  JASRI SPring8

• 河瀬 和雅

  三菱電機(株)先端総研

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 樋口 正嗣

  東北大学大学院工学研究科

• 程? 涛

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 後藤 哲也

  東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門

• 原田 耕一

  ソニー株式会社厚木テクノロジーセンター超LSI開発本部第1研究部

• 角 博文

  ソニー株式会社CPDG半導体事業本部IS事業部

• 大島 宗之

  富士フイルム株式会社R&D統括本部 電子映像商品開発センター

• 武藤 信彦

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社

• 高橋 秀和

  キヤノン株式会社

• 三沢 岳志

  富士フイルム株式会社

• 斉藤 美佐子

  東京エレクトロン(株)

• 鈴木 要

  東京エレクトロン(株)技術開発センター

• 村川 恵美

  東京エレクトロン株式会社:東北大学工学研究科技術社会システム

• 東谷 恵市

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 小室 孝

  東京大学

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 原田 耕一

  ソニー株式会社厚木テクノロジーセンター

• 山岸 世明

  東北大学大学院工学研究科

• 小原 崇弘

  東北大学大学院工学研究科

• 石井 秀和

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 北野 真史

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 田中 義嗣

  東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター

• 高橋 秀和

  キヤノン株式会社デバイス開発本部

• 福田 好朗

  法政大学工学部

• 酒井 伸

  東北大学工学研究科

• 赤羽 奈々

  東北大学工学研究科

• 山下 友和

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

• 岡村 誠一郎

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

• 押久保 弘道

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

• 黒木 伸一郎

  東北大学大学院工学研究科

• 船岩 清

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 安曇 啓太

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 熊谷 勇喜

  東北大学工学部電子工学科

• 菅原 卓也

  東京エレクトロン株式会社

• 譽田 正宏

  サイペック株式会社 ソリューション事業部門

• 関根 克行

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 井上 俊輔

  キヤノン(株)半導体デバイス開発センター

• 福田 好朗

  法政大 デザイン工

• 中塚 信雄

  オムロン

• 堀田 正明

  オムロン

• 加守田 裕樹

  オムロン

• 浜本 隆之

  東京理科大学工学部

• 近藤 泰志

  島津製作所

• 田窪 健二

  (株)島津製作所基盤技術研究所

• 原田 耕一

  ソニー株式会社 Ssnc Idc Ccd事業部

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著作論文

• LOFIC CMOSイメージセンサの画素縮小化技術(固体撮像技術)
• 画素容量・列容量電荷電圧変換を組合せた多重露光線形応答広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
• 色毎の飽和光量差を低減したWRGB市松画素LOFIC CMOSイメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
• デジタルカメラ用イメージセンサの最新技術
• 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
• 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
• 多重電圧・電流読み出し動作を用いた線形応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 多重電圧・電流読み出し動作を用いた線形応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(イメージセンサ,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
• プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
• RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
• 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• フラッシュメモリーにおける新しい信頼性評価技術
• 招待講演 MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 (シリコン材料・デバイス)
• 情報センシング
• 1-1. 情報センシング(1.画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
• 真空装置内での有機物汚染挙動
• 局所境界要素法によるイメージセンサの3次元波動光学シミュレーション
• MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
• プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• CMOSイメージセンサの画素トランジスタのノイズ測定(イメージセンサ一般(IISW報告会含む))
• 高温下の耐性・撮像性能を改善した広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(イメージセンシング技術とその応用)
• 横型オーバフロー蓄積と電流読出し動作を組合せたダイナミックレンジ200dB超のCMOSイメージセンサ(イメージセンシング技術とその応用)
• 200dB超の広ダイナミックレンジ性能をもつ横型オーバーフロー容量CMOSイメージセンサの高S/N動作方法
• 横型オーバーフロー蓄積と電流読み出し動作を組み合わせたダイナミックレンジ200dB超のCMOSイメージセンサ
• 感度とリニアリティ特性を改善した横型オーバーフロー蓄積容量型広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
• 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの暗電流耐性とオーバーフロー特性(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
• 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
• リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
• リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
• マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成(シリコン関連材料の作製と評価)
• SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成
• 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
• 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• CDS-1-1 広ダイナミックレンジLOFIC CMOSイメージセンサ技術(CDS-1.高ダイナミックレンジ映像技術の最前線〜高ダイナミックレンジ化がもたらす映像システムの新たな展開〜,シンポジウムセッション)
• CDS-1-1 広ダイナミックレンジLOFIC CMOSイメージセンサ技術(CDS-1.高ダイナミックレンジ映像技術の最前線〜高ダイナミックレンジ化がもたらす映像システムの新たな展開〜,シンポジウムセッション)
• 微細MOSデバイスのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 微細MOSデバイスのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 招待講演 広ダイナミックレンジ撮像技術-システムレベル (情報センシング コンシューマエレクトロニクス)
• 大規模アレイTEGを用いた画素ソースフォロア相当のトランジスタのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズの統計的解析 (情報センシング コンシューマエレクトロニクス)
• 機能・工程設計フレームワークと機能品質完結生産(技術経営, 第20回年次学術大会講演要旨集I)
• ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ技術
• 広ダイナミックレンジイメージセンサの最新動向(撮像技術の最新動向)
• PELOC : 動的再構成FPGA用自動配置配線ツール : フレキシブルプロセッサへの応用(設計手法とシステムソフトウェア)
• 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの暗電流耐性とオーバーフロー特性
• 列並列演算器を備えたリアルタイムオブジェクト抽出を行なう高機能高画質CMOSイメージセンサ
• 原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル酸化による Poly-Si TFTの高性能化に関する研究
• ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 段階投資型半導体製造施設の研究
• シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
• マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
• 小規模生産ラインとクリーン化技術
• 画像圧縮用ベクトル量子化プロセッサ
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 325万画素APS-CサイズCMOSイメージセンサ
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術
• CMOSイメージセンサ技術
• マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2プラズマを用いたシリコン酸窒化膜の低温形成
• バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術
• マイクロ波励起Kr/O_2プラズマによるシリコン酸化膜の低温形成
• マイクロ波励起低温高密度プラズマプロセス
• 知的財産マネジメントにおける発明評価に関する研究 (特集 知的財産の価値評価) -- (第2部 知的財産価値評価に関する論文)
• 特許出願意思決定支援のための発明評価への工学的手法の適用
• 横型オーバフロー蓄積容量を用いたCMOSイメージセンサの画素縮小化技術
• バースト10MfPsと連続10Kfpsの撮像速度を有する高速CMOSイメージセンサのプロトタイプ試作評価(固体撮像技術および一般)
• デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術
• 10Mfps高速CMOSイメージセンサの高S/N読み出し動作(高機能イメージセンシングとその応用)
• WRGB LOFIC CMOSイメージセンサを用いた青緑及び黄色領域を含む全色域の色再現性の向上(高機能イメージセンシングとその応用)
• 原子レベル平坦化Si表面を用いた紫外光高感度・高信頼性フォトダイオード(2011 International Image Sensor Workshop(IISW)関連およびイメージセンサ一般)
• 高純度有機金属ガス供給システムに関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減(プロセス科学と新プロセス技術)
• ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係(プロセス科学と新プロセス技術)
• 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• バースト1Tpixel/sと連続780Mpixel/sの撮像速度を有するグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサ(固体撮像技術および一般)
• CMOSイメージセンサにおける高速化技術の動向
• 広ダイナミックレンジイメージセンサの技術動向
• 紫外光高感度・高信頼性を有する原子オーダー平坦Si表面を用いたフォトダイオードのドーパントプロファイル(高機能イメージセンシングとその応用)
• バースト1 Tpixel/s と連続 780Mpixel/s の撮像速度を有するグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサ

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