325万画素APS-CサイズCMOSイメージセンサ
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概要
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一眼レフディジタルカメラ用, APS-Cサイズ総画素数325万のCMOSイメージセンサを開発した。画素サイズは10.5μm^□で, 埋め込み型フォトダイオードと4つのトランジスタより構成した, 完全電荷転送構造を採用し, 列毎に設けたノイズ除去回路で画素リセットノイズと固定パターンノイズを低減した。0.35μmルールCMOSプロセスをセンサ向けに専用化したプロセスを用い, 暗電流密度60pA/cm^2(60℃), ランダムノイズ0.27mVrms, 消費電力250mWを達成した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2001-03-16
著者
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
前田 敦
三菱電機株式会社 北伊丹製作所
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
山脇 正雄
三菱電機株式会社 LSI研究所
-
東谷 恵市
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
-
井上 俊輔
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
-
井上 俊輔
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
-
櫻井 克仁
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
-
上野 勇武
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
-
小泉 徹
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
-
樋山 拓己
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
-
浅羽 哲朗
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
-
加藤 久幸
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
-
飯塚 康治
三菱電機株式会社 システムLSI事業統括部
-
山脇 正雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業統括部
-
前田 敦
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
-
井上 俊輔
キヤノン株式会社 デバイス開発本部 半導体デバイス製品開発センター
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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